1、项目可行性
（1）公司具备领先的人才优势
公司具有 30 余年集成电路装备制造行业的宝贵经验、技术积累和人才储备，形成了深耕行业多年、经验丰富的国际化管理团队和产品研发团队，在中国、美国和德国建有三个研发和生产基地，在中国大陆、中国台湾、美国、德国、韩国、日本、新加坡、法国等地设有全球销售、服务和技术支持中心，有助于吸引培育全球顶尖的半导体设备人才。
公司以国际先进的研发理念为依托，经过多年的内部培育及外部吸纳，已形成一支具备精湛技术、创新意识及国际视野的成体系跨国研发团队，研发人员占比 20.46%，核心研发团队员工维持稳定。
现有国内外员工 606 人，其中博士占总人数的 6.27%，硕士占总人数的 24.09%。作为一家行业领先的国际化集成电路设备企业，公司的技术团队能够及时捕捉行业内前沿技术发展趋势，了解国际领先客户的最新需求动态，并相应研制开发具备国际领先水平的产品，为项目的实施提供了强力有效的技术和管理支撑。
（2）公司具备领先的技术优势
公司研发技术团队通过自主研发，长期以来在集成电路制造设备晶圆传输平台、反应腔设计、等离子体技术和晶圆热处理技术等领域积累了大量具备国际领先水平的核心技术，并在全球主要半导体生产地区申请了专利保护。
截至 2021年 5 月 31 日，公司拥有有效专利 309 项。公司基于核心技术研发的干法去胶设备、快速热处理设备和干法刻蚀设备在国内外知名逻辑芯片和储存芯片制造厂商的先进生产线上批量使用，此外，公司在持续提高设备工艺性能、提升客户产品良率和降低综合持有成本等方面不断进行创新。
报告期内，公司研发投入分别为 25,438.66 万元、27,932.55 万元和32,848.21 万元，占当年营业收入的比重为 16.75%、17.75%和 14.20%，保持高研发投入比例；报告期内，公司新申请专利数量保持持续增长态势，并已成功研发双晶圆反应腔线型真空传输设备平台设计等多项核心技术。
公司基于现有双晶圆真空反应腔设计、双晶圆反应腔真空整合传输设备平台设计、电感耦合远程等离子体源设计、远程等离子体源电荷过滤装置、晶圆双面辐射加热快速热退火技术、晶圆表面局部温度均匀度调节技术等核心技术，能够整合多项核心技术开发一体化半导体设备，并通过对核心技术的持续改进和延伸，积极研发新产品、进入新领域，拓展可触达的市场空间。卓越的研发能力和领先的技术储备为公司募投项目实施奠定了基础，并将持续驱动公司未来业务增长。
（3）公司拥有优质的客户资源基础
公司主要为全球 12 英寸晶圆厂客户提供干法去胶、快速热处理、干法刻蚀等设备及配套工艺解决方案。公司在半导体设备研发制造领域深耕多年，在干法去胶、快速热处理设备细分领域市场份额分别位于全球第一、第二，主要客户覆盖全球前十大芯片制造商和国内行业领先芯片制造商，已形成明显的国内外顶尖客户资源优势，客户对公司品牌、产品品质和技术工艺均有较高认可度。
本次投资项目的实施有利于进一步提升公司生产及研发实力，匹配客户对不同关键技术节点、不同工艺、不同类型产品的多种需求，巩固加强已有客户基础，提升服务能力，是公司抓住产业机遇、快速发展业务、拓宽市场的必要举措。
2、项目基本情况
为提升公司自主研发能力，巩固公司在现有产品领域核心竞争力，公司拟对原子层级表面处理及超高选择比刻蚀设备、先进干法去胶设备、基于 Hydrilis平台的新一代超高产能去胶设备和刻蚀设备、高温真空快速退火及相关一体化半导体处理设备、新型半导体刻蚀设备、成熟集成电路设备持续改进与研发等高端设备开展升级迭代和产品研发工作，增强公司技术水平，提升产品性能和产品质量。具体研发方向安排如下：
（1）原子层级表面处理及超高选择比刻蚀设备的技术改进和研发
新一代逻辑和存储芯片包含由不同薄层材料构成的复杂三维结构。随着三维结构变得更小、更窄、更深，需要利用半导体制造工艺对不同薄膜界面进行表面精细处理，以在不损伤其他薄层、不影响其他结构的同时选择性地去除特定薄膜材料。公司计划开发能满足先进芯片制造中多道尖端刻蚀和原子层级晶圆表面处理要求的工艺设备，主要应用于无损伤表面清洁，选择性表面处理，精确材料改性和自由基增强热处理等工艺。本项目主要研究内容包括等离子体源优化设计、精准晶圆温度控制、防二次沉积污染、减少衬底材料损伤等技术和工艺的研究开发。
（2）先进干法去胶设备的技术研发
为了适应去除光刻胶、抗反射涂层、硬掩模等先进图形化薄膜材料工艺的要求，公司计划在现有去胶设备基础上开发更适合国内客户需求的、成本更具竞争力的先进干法去胶设备。公司将拓展零部件供应商联合开发核心零部件及关键配套模组，并引入更先进的系统技术。本项目主要研究内容包括开发基于本土供应链设计的先进干法去胶设备、基于开源平台开发的软件控制系统架构、一体化的工业电脑控制系统等。
（3）基于 Hydrilis平台的新一代超高产能去胶设备和刻蚀设备的技术改进和研发
单位面积产能是集成电路制造大规模量产的关键指标之一，公司开发的Hydrilis高产能真空晶圆传送设备平台具备占地面积小、生产效率高的特点。公司计划开发基于 Hydrilis真空晶圆传送平台技术的新一代超高产能去胶设备和刻蚀设备，为客户提供更加经济高效的批量生产去胶设备和刻蚀设备。设备将配置 4 个双晶圆反应腔、8 个晶圆处理工位，相比于公司目前成熟去胶设备和刻蚀设备，新设备产能可以提高一倍。本项目主要研究内容包括 Hydrilis平台的进一步优化改进、反应腔设计的优化改进，提高去胶速率、刻蚀选择比和工艺均匀性等。
（4）高温真空快速退火及相关一体化半导体处理设备的技术研发
在先进逻辑电路、DRAM 芯片和 3D 闪存的制造过程中，在低压（真空）状态下实现高温快速退火工艺是其中关键和重要工艺之一。该工艺可保证在可控的环境下对特定薄膜层改性，从而满足新型器件的要求。真空退火也更容易跟其他低压工艺集成，以实现在同一平台上完成连续工艺流程。公司计划借助在高温退火、等离子体及超高产出设备平台等领域的技术积累，研发相关一体化半导体设备，增加产品种类和应用，提高退火设备的市场占有率。本项目主要研究内容包括开发等离子体超薄成膜技术、真空快速热退火技术、等离子体辅助表面改性及精准膜厚控制技术和多功能多反应腔集成设备及一体化工艺等。
（5）新型半导体刻蚀设备的技术研发
随着集成电路制造工艺持续向先进制程演进，集成电路制造厂商对刻蚀工艺在关键工艺中的要求日益提高。公司计划开发出国际领先的新型等离子体刻蚀设备，用于先进芯片制造中的关键工艺应用。本项目主要研究内容包括开发新的先北京屹唐半导体科技股份有限公司 招股说明书1-1-367进等离子体源技术和先进刻蚀反应腔设计，实现更广的工艺窗口、灵活的温度控制、精准的刻蚀速率控制、更好的选择比和更高深宽比的刻蚀。
（6）成熟集成电路设备持续改进与研发
公司目前已拥有 Suprema系列干法去胶设备，paradigmE系列干法刻蚀设备，Helios系列快速热处理设备、Millios系列闪光毫秒级退火设备等各类成熟产品系列。随着芯片制造技术的进一步发展，关键尺寸不断缩小，器件结构日趋复杂，客户对集成电路制造设备的要求也将进一步提升。公司拟通过持续研发投入，不断提升成熟产品的竞争力，保持产品先进性。本项目主要研发内容包括扩大现有设备工艺范围，降低颗粒污染，提高机台连续生产时间，提高工艺稳定性、均匀性、一致性，降低设备和损耗品成本等。
3、项目时间周期和时间进度
本项目含多个研发课题，项目整体实施周期预计在 3 年内完成，具体课题实施进度计划将以各子课题为主线推进，项目研发所需的资金投入将根据子课题研发需求安排。
4、募集资金备案程序履行、环境保护、土地使用情况
根据经开区行政审批局出具的说明，依据《企业投资项目核准和备案管理条例》（国务院第 673 号令）、《企业投资项目核准和备案管理办法》（国家发改委 2017 年第 2 号令）及《北京市企业投资项目核准和备案管理办法》相关规定，公司本次募集资金投资项目“屹唐半导体高端集成电路装备研发项目”不属于企业投资项目备案范围，依法可不办理项目备案手续。
本项目对环境的影响主要来自研发过程中产生的废液、废水和固体废弃物等，交由有资质的第三方公司定期收集清运，统一处理。
5、与公司现有主要业务、核心技术之间的关系
本项目与公司现有主要业务、核心技术密切相关。公司通过整合现有研发力量，引入高端人才，在原有产品和技术的基础上，结合行业内最前沿的技术发展趋势和市场需求，针对更先进技术节点和工艺性能，对公司的核心技术进行纵向扩展，增强公司适应市场变化的能力，巩固市场地位，提升核心竞争力。
完整版可行性研究报告依据国家部门及地方政府相关法律、法规、标准，本着客观、求实、科学、公正的原则，在现有能够掌握的资料和数据的基础上，主要就项目建设背景、需求分析及必要性、可行性、建设规模及内容、建设条件及方案、项目投资及资金来源、社会效益、经济效益以及项目建设的环境保护等方面逐一进行研究论证，以确定项目经济上的合理性、技术上的可行性，为项目投资主体和主管部门提供决策参考。
此报告为摘录公开部分。定制化编制政府立项审批备案、国资委备案、银行贷款、产业基金融资、内部董事会投资决策等用途可研报告可咨询思瀚产业研究院。